在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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2月20 日，在AI Impact Summit 2026上，谷歌CEO桑达尔·皮查伊就发表演讲称，AI是“我们一生中最大的平台转变（the biggest platform shift of our lifetimes）”，将带来“超高速进步阶段（a phase of hyperprogress）”，在全员会议中要求员工必须将 AI 融入日常工作，守住 AI 领域领先优势。，这一点在PDF资料中也有详细论述